发明专利
一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
专利编号:2017107553409
专利权人:高校
专利类型:发明专利
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发明专利
一种碳硼烷?苝二酰亚胺衍生物及合成方法和基于其的传感阵列及制备方法与应用
专利编号:2017107581606
专利权人:高校
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发明专利
数据中心环境下保证延迟敏感程序QoS的动态调节方法
专利编号:2017107583118
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发明专利
一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法
专利编号:2017107673843
专利权人:高校
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发明专利
一种铜表面激光原位合成稀土氧化物陶瓷熔覆层的制备方法
专利编号:2017107681996
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